金属表面抛光之半导体加工技术的核心是光刻( photo lithography),基本工艺方法是沉积与刻蚀的巧妙结合基于这种加工方法的微型机械的复杂程度的概念有别于传统的机械,即既不依赖所含部件的数量,也不取决于每个部件设计的复杂程度,而是与制作过程中所需的加工工序相关。光刻的基本过程如图7-1所示,其基本工序包括曝光、显影和刻蚀。在光刻加工之前预先设计制作出掩模板,光刻掩模板决定后续加工的图形。加工时,***先在基板上沉积成膜材料甩涂感光胶( photo register)并进行曝光。然后显影,曝光部分溶解而光线未照射到的部分保留的感光胶称为正胶,暴光部分图形保留而光线未照射到的部分显影溶解的感光胶称为负胶。用显影的感光胶图形作为刻蚀掩膜( etching mask),就可以使其下面的材料受刻烛掩膜保护的部分保留下来,有选择地溶解、除去基板上沉积的成膜材料甚至基板材料。再去除刻蚀掩膜层即可得到所期望加工的结构。
 

　　用于微型机械制作的金属表面抛光之半导体加工技术包括氧化、摻杂、化学和物理气相沉积、金属真空镀膜等添加加工,和干法刻蚀(等离子体刻蚀、反应离子刻蚀)、湿法刻蚀(等向性刻蚀、异向性刻蚀、掺杂自停止刻蚀、牺牲层刻蚀)等去除加工方法。又分类为以硅基板整体厚度为加工对象的体硅微加工法和在基板表面上进行的表面微加工法。